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Portale / Applicazioni a Livello Industriale / Degradazione del vettore caldo a livello di wafer - elevata precisione, disturbo basso, capacità di sollecitare più transistor in parallelo e di misurare delle degradazioni contenute
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2011 NCSLI • NCSL International 50th Anniversary Celebration
National Harbor, MD • USA
August 22-24, 2011
Vail al sito

ICSCRM 2011
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Cleveland, OH • Renaissance Cleveland Hotel
September 12-16, 2011
Vail al sito

MRS Materials Research Society FALL
Boston, MA • USA
Nov. 28-Dec. 2, 2011
Vail al sito

Degradazione del vettore caldo a livello di wafer - elevata precisione, disturbo basso, capacità di sollecitare più transistor in parallelo e di misurare delle degradazioni contenute

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